納米粒度測量——優(yōu)良的動態(tài)光背散射技術

Zeta電位測量：Microtrac MRB以其在激光衍射/散射技術和顆粒表征方面的獨到見解,，經(jīng)過多年的市場調研和潛心研究，開發(fā)出新一代NANOTRAC WAVE II微電場分析技術,，融納米顆粒粒度分布與Zeta電位測量于一體，無需傳統(tǒng)的比色皿,，一次進樣即可得到準確的粒度分布和Zeta電位分析數(shù)據(jù),。與傳統(tǒng)的Zeta電位分析技術相比，NANOTRAC WAVE II采用優(yōu)良的“Y"型光纖探針光路設計,，配置膜電極產(chǎn)生微電場,，操作簡單,，測量迅速，無需精確定位由于電泳和電滲等效應導致的靜止層,，無需外加大功率電場,，無需更換分別用于測量粒度和Zeta電位的樣品池，*消除由于空間位阻（不同光學元器件間的傳輸損失,，比色皿器壁的折射和污染,，比色皿位置的差異，分散介質的影響,，顆粒間多重散射等）帶來的光學信號的損失,，結果準確可靠，重現(xiàn)性好,。

測量原理：

粒度測量：動態(tài)光背散射技術和全量程米氏理論處理

Zeta電位測量：膜電極設計與“Y"型探頭形成微電場測量電泳遷移率

分子量測量：水力直徑或德拜曲線

光學系統(tǒng)：

3mW780nm半導體固定位置激光器,，通過梯度步進光纖直接照射樣品，在固定位置用硅光二極管接受背散射光信號,，無需校正光路

軟件系統(tǒng)：

優(yōu)良的FLEX軟件提供強大的數(shù)據(jù)處理能力,，包括圖形，數(shù)據(jù)輸出/輸入,，個性化輸出報告,，及各種文字處理功能，如PDF格式輸出, Internet共享數(shù)據(jù),，Microsoft Access格式（OLE）等,。體積，數(shù)量,，面積及光強分布,，包括積分/微分百分比和其他分析統(tǒng)計數(shù)據(jù)。數(shù)據(jù)的完整性符合21 CFR PART 11安全要求,，包括口令保護,，電子簽名和指定授權等。

外部環(huán)境：

電源要求：90-240VAC,，5A,，50/60Hz

環(huán)境要求：溫度，10-35°C

國際標準：符合ISO13321,，ISO13099-2:2012 和 ISO22412:2008

主要特點：

• 采用優(yōu)良的動態(tài)光散射技術,，引入能普概念代替?zhèn)鹘y(tǒng)光子相關光譜法

• “Y"型光纖光路系統(tǒng)，通過藍寶石測量窗口,，直接測量懸浮體系中的顆粒粒度分布,，在加載電流的情況下，與膜電極對應產(chǎn)生微電場,，測量同一體系的Zeta電位,， 避免樣品交叉污染與濃度變化,。

• 異相多譜勒頻移技術，較之傳統(tǒng)的方法,，獲得光信號強度高出幾個數(shù)量級,，提高分析結果的可靠性。

• 可控參比方法（CRM）,，能精細分析多譜勒頻移產(chǎn)生的能譜,，確保分析的靈敏度。

• 超短的顆粒在懸浮液中的散射光程設計,，減少了多重散射現(xiàn)象的干擾,，保證高濃度溶液中納米顆粒測試的準確性。

• 快速傅利葉變換算法（FFT,，F(xiàn)ast FourierTransform Algorithm Method）,迅速處理檢測系統(tǒng)獲得的能譜,，縮短分析時間。

• 膜電極設計,，避免產(chǎn)生熱效應,，能準確測量顆粒電泳速度。

• 無需比色皿,，毛細管電泳池或外加電極池,，僅需點擊Zeta電位操作鍵，一分鐘內即可得到分析結果

• 消除多種空間位阻對散射光信號的干擾,，諸如光路中不同光學元器件間傳輸?shù)膿p失,，樣品池位置不同帶來的誤差，比色皿器壁的折射與污染,，分散介質的影響,，多重散射的衰減等，提高靈敏度,。